?EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管

200 V、25 m?氮化鎵功率晶體管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可應(yīng)用于無線充電、多級(jí)AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用及太陽能微型逆變器。下面就隨電源管理小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

21IC訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管，包括無線充電、多級(jí)AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用、太陽能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 m?、脈沖輸出電流為55 A。

EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管

EPC2046采用芯片級(jí)封裝，比使用塑膠封裝的MOSFET更有效地散熱，這是由于使用芯片級(jí)封裝的器件可以直接散熱至周遭環(huán)境，而MOSFET芯片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)。設(shè)計(jì)師現(xiàn)在可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小型化和性能更高的器件!

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：「EPC2046 eGaN?產(chǎn)品采用最新的第五代工藝，展示出EPC及其氮化鎵晶體管技術(shù)如何提升產(chǎn)品的性能之同時(shí)能夠降低器件的價(jià)格，這些優(yōu)勢推動(dòng)全新應(yīng)用的發(fā)展，是日益老化的硅MOSFET所不可以實(shí)現(xiàn)得到的，并且吸引目前采用MOSFET的設(shè)計(jì)師轉(zhuǎn)用eGaN產(chǎn)品。這些全新晶體管也印證了氮化鎵與MOSFET技術(shù)在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴(kuò)大?！?/p>

開發(fā)板

EPC9079開發(fā)板的最大器件電壓為200 V、半橋、帶板載柵極驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)含EPC2046晶體管、板載柵極驅(qū)動(dòng)電源及旁路電容。該板為2英寸乘1.5英寸，其布局可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能，并且包含所有重要元件，從而可以幫助工程師易于對EPC2046 eGaN FET的性能進(jìn)行評(píng)估。

價(jià)格及供貨

EPC2046 eGaN FET在批量為1,000片時(shí)的單價(jià)為3.51美元。

EPC9079開發(fā)板的單價(jià)為118.75美元。

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